雄关漫道真如铁而今迈步从头越，长春光机所已造出EUV光源工程样机

工程样机通常是一个研究和开发项目中的一个重要里程碑，其意义在于验证和证实某项技术的可行性，同时也是将技术转化为实际产品的重要步骤。在这种情况下，EUV光源工程样机的成功意味着我国已经具备了可商用的EUV光刻机的核心技术。

EUV光刻技术是一种极端紫外光刻技术，具有高分辨率、高精度等优点，在集成电路制造领域具有重要应用价值。由于技术难度大，长期以来一直是欧美等发达国家的技术独占。而我国的成功，不仅将有望打破这种技术壁垒，也将为我国在集成电路制造等领域提供重要支持，对于我国的科技进步和经济发展具有深远的影响。

中国已经掌握了EUV三大关键技术中的反射镜和真空双工件台两大关键技术，并根据公开资料得出结论，EUV光源也已经取得重大技术进展，推测国产EUV工程样机有望在2年内问世。
如今这才过去不到一个月，就有官方消息证实了推测。

2023年4月13日下午，中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼到长春光机所调研，对其研制成功极紫外光刻机重要部件一一EUV光源工程化样机表示高度肯定。
按照我国惯例，某项高科技产品造出来必须要先通过内部测试，才会邀请领导来调研，如果只是组装好，但没测试过，通常是不会邀请领导来调研的。显然，长春光机所造出的EUV光源工程样机可不只是摆设，起码达到可用门槛！

工程样机是什么意思呢？

光刻机遵循“原理样机—工程样机—量产机”发展模式。其中，工程样机通过验收即可定型量产，变成量产机。
这则官方新闻意味着，我国已经造出达到商用门槛的EUV光源！

什么意思呢？

据了解，EUV光源起码IF点功率要达到100瓦级别才有可能商用。按照转化率推算，打靶所需的轴快流二氧化碳激光器输出功率要达到10千瓦左右，我国科威晶公司在2013年就已造出这种激光器。这说明上文提到的官方新闻是可信的！

资料显示，ASML最早于2010年造出了第一台具备商用能力的EUV，即NEX3100，IF点功率就是100瓦。那么现在我国的EUV整机性能起码已经达到NEX3100的水平！

据了解，微电子所2021年的年鉴曾披露，2020年完成28nm浸没光刻机曝光光源10mJ@4KHz工程样机交付整机使用及15mJ@6KHz原理样机研制；深紫外准连续晶圆检测光源工程样机实现小批量制造。

2021年5月，上海微电子一位工程师在接受日本经济新闻采访时称："我们的支柱产品是用于90nm制程的光刻机，用于28nm和14nm芯片生产的光刻机成品率还有提升空间。"


上海微电子工程师透露的消息

2022年，某研究论文透露，国产激光干涉仪已成功用于28纳米工艺节点光刻机。

2023年3月17日，本号在《28纳米节点DUVi已在今年1月通过验收？华为已深度参与EUV研发？》微头条中考证，我国28纳米节点光刻机（DUVi）已于2023年1月份通过验收。

从造出深紫外光源样机到造出浸没式深紫外光刻机样机通常耗时不会超过1年，通过技术验收也仅需2～3年，快的话几个月内通过验收也是有可能的。也就是说首台具备商用能力的国产EUV工程样机将在2024年5月之前问世，甚至可能已经问世，有望在2026年5月之前通过验收。

总之，一旦国产EUV交付，就再也没人能在这个领域卡脖子！集成电路领域留给丑国的时间真的不多了