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[军事] 万丈高楼平地起知耻而后勇,华为提交EUV光刻机专利

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皓月当空 发表于 2022-12-25 03:37:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
世上无难事只要肯登攀,哪有什么造不出来的东西' D0 ?& L" C% E% ]
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11月中旬,华为向国家知识产权局申请了一项涉及EUV光刻机及其关键部件的专利,专利申请号为202110524685X。如果华为制造出这样的光刻机扫描仪并实现可观的生产力、正常运行时间和产量,中国芯片制造商可以生产 7 纳米级以下技术的芯片。唯一的问题是什么时候。. r4 q, W% C. [' Q
8 m5 I/ W/ T0 w+ C, V$ \" M6 ?  _
该专利申请涵盖了 EUV 光刻机的所有关键组件,包括13.5 nm EUV 光发生器(光源)、一组反射镜、光刻系统和“控制管理技术”。' n' h: P$ [( V0 ~0 j
/ t5 }' s7 B& n, J
申请专利并不等于能够制造一台EUV 光刻机,这是一台高度复杂的机器,具有许多最先进的组件,必须完美协同工作并长时间工作。此外,即使手头有EUV 工具,芯片制造商仍然需要为掩模、抗蚀剂和大批量生产所需的许多其他东西找出合适的薄膜。
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目前,只有英特尔、美光、三星、SK海力士和台积电使用或计划使用 ASLM 的 EUV 光刻机。此外,只有这五家公司已经开发或计划开发足够复杂的工艺技术来利用
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1 b& \; A, S- V: c同时,由于瓦森纳的安排,中国的中芯国际无法获得已经采购的EUV 光刻机来开发自己的基于 EUV 的制造工艺。因此,中国对 EUV 光刻机的潜在需求是存在的。  8 P# ]; Z, n) [/ b- [& Y$ ]0 J+ w' }
作为年收入约1000亿美元的世界级高科技企业集团,华为追求不同的目标并开发了许多技术,不限于芯片生产,还包括建造晶圆厂设备。 $ d! J5 Y* r; w; p3 @6 e
. b* E1 {/ H8 ^& U9 n7 x8 J2 R
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风一样的男子 发表于 2023-1-15 01:04:39 | 显示全部楼层
非常不错....
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aaa123 发表于 2023-1-21 11:29:07 | 显示全部楼层
远水解不了近渴
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