万丈高楼平地起知耻而后勇,华为提交EUV光刻机专利

世上无难事只要肯登攀，哪有什么造不出来的东西

& W) i; c8 {/ u: |& }11月中旬，华为向国家知识产权局申请了一项涉及EUV光刻机及其关键部件的专利，专利申请号为202110524685X。如果华为制造出这样的光刻机扫描仪并实现可观的生产力、正常运行时间和产量，中国芯片制造商可以生产 7 纳米级以下技术的芯片。唯一的问题是什么时候。

4 m) g8 U7 l! |3 p5 Z+ m该专利申请涵盖了 EUV 光刻机的所有关键组件，包括13.5 nm EUV 光发生器（光源）、一组反射镜、光刻系统和“控制管理技术”。
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申请专利并不等于能够制造一台EUV 光刻机，这是一台高度复杂的机器，具有许多最先进的组件，必须完美协同工作并长时间工作。此外，即使手头有EUV 工具，芯片制造商仍然需要为掩模、抗蚀剂和大批量生产所需的许多其他东西找出合适的薄膜。

9 ^+ Y, n; X( Z8 D, p5 [* d  b  U目前，只有英特尔、美光、三星、SK海力士和台积电使用或计划使用 ASLM 的 EUV 光刻机。此外，只有这五家公司已经开发或计划开发足够复杂的工艺技术来利用

4 V6 U7 H& ]) w同时，由于瓦森纳的安排，中国的中芯国际无法获得已经采购的EUV 光刻机来开发自己的基于 EUV 的制造工艺。因此，中国对 EUV 光刻机的潜在需求是存在的。  
作为年收入约1000亿美元的世界级高科技企业集团，华为追求不同的目标并开发了许多技术，不限于芯片生产，还包括建造晶圆厂设备。

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远水解不了近渴