来源：环球时报# T& N/ E( H1 W8 C6 o9 J- M
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中国反垄断机构上周末对韩国的三星电子、SK海力士以及美国美光三家芯片企业以涉嫌操控价格展开反垄断调查后，三星及SK海力士本周均对《环球时报》记者回应称正在积极配合相关部门。受调查影响，三星电子和SK海力士4日的股价都出现小幅下跌，三星电子下跌0.39%，SK海力士下跌1.75%，而韩国电子股指数则下跌0.28%。! t; A8 i9 n* P/ U! d# }
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存储芯片两年涨一倍
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/ b; {2 l6 _) z4 F7 r0 x8 w韩国《中央日报》4日的报道称，上月31日，中国的反垄断机构突然前往三星电子、SK海力士、美国美光在中国的分支机构办公室展开调查。 中国政府怀疑在过去两年间存储芯片（DRAM）的价格暴涨1倍以上的原因是这三家企业恶意利用供给不足违法进行捆绑销售。一旦嫌疑被确认，这三家企业将面临中国政府8亿至80亿美元的罚款。2 t8 i: u+ w- p, o
2 \- v( |; m2 O* \* l8 ]& w) d8 Z: q今年4月，一起美国消费者起诉三星电子、SK 海力士、美国美光等厂商人为操控零售价格，诉讼人表示上述三家公司的行动导致DRAM芯片价格在2016年7月1日至2018年2月1日内上涨130%。《中央日报》报道称，DRAM价格现在依然在持续“高空飞行”。4GB DRAM的价格从2016年6月的1.31美元上涨至今年4月的3.94美元，增长3倍左右。据推测，下半年DRAM的价格还将持续上涨。2 ?) c2 W* U% }& h& {1 @0 b) M
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中国电信行业专家马继华4日对《环球时报》记者表示，DRAM价格在去年经历的暴涨已超出正常的市场定价范畴。这直接导致手机厂商利润下降，部分企业经营困难，小企业退出市场，也促进了手机产业进一步集中化。另一方面，芯片涨价也限制了手机行业的产能。4 b# C D/ \ i* O0 ?- o6 ^
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中企对三巨头依赖度高
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韩国《亚洲经济》报道称，遭调查的3家公司的半导体芯片业务2017年在中国营收依次为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。
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1 [, c8 f% C% t& {. U韩国SBS电视台4日的报道称，有分析认为，中国对三星等世界三大存储芯片企业展开反垄断调查，与推进中国“半导体崛起”不无关系。最近中国华为、小米等厂商通过包括智能手机在内的各种电子产品成功抢占国际市场，但由此进口的半导体芯片也呈现“滚雪球式”的增长。去年中国在该领域的贸易赤字高达1900亿美元，而三星电子一家就在中国创下253亿美元的半导体芯片销售额，中国市场份额高达46%。
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6 n! `3 W7 S/ a3 x! ]《中央日报》分析称，由于DRAM价格的暴涨与供给不足，中国智能手机等信息技术企业正在面临困境。报道称，中国企业对这三家企业的依赖度很高。除华为、小米、OPPO、vivo等智能手机企业及联想等电脑企业之外，连阿里巴巴、腾讯、百度这样的互联网企业也为构筑数据中心而大量使用芯片。仅去年从韩国进口的该类产品就超过42万亿韩元（约合2500亿元人民币）。5 V" x) o' R( W* u0 `6 F
# y" A3 A# o( O3 n发展要自主可控5 B7 j8 `5 N9 z+ g# l* ]0 Y
8 u! ^$ h* s4 g0 ?- }- Q% H一位不具名的半导体行业分析人士4日对《环球时报》记者表示，此前内存价格的上涨对包括手机在内的中国国内产业链带来成本上的巨大压力。因此，在国内厂商的要求下，反垄断机构开始出手调查。
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6 p7 L p* o I手机中国联盟秘书长王艳辉4日接受《环球时报》记者采访时表示，相比欧盟不断向谷歌、苹果、高通等以垄断理由开出罚单，中国反垄断机构由于人力有限，对市场监督的力度不是太大而是太小。需要更强有力的市场监督机构保证公平、公正的市场竞争秩序。' V, Z- I) N; U5 I P2 e
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分析人士表示，这次反垄断的调查可以参考此前高通案，2015年2月，在经历了1年多的反垄断调查后，中国国家发改委宣布对高通处以人民币60.88亿元罚款。分析人士称，反垄断调查对于3家公司的半导体芯片业务会有一定影响，但最终影响如何还要看监管机构的调查结果。近期市场情况也提醒中国半导体芯片产业需要做到自主可控。
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. X x4 f, U: R+ q集邦咨询半导体研究中心的数据显示，今年一季度，三星、SK海力士和美光占全球市场总份额达96%，分别为44.9%、27.9%、22.6%。与此同时，中国是全球最大的内存产品进口国，消费了全球20%的DRAM和25%的闪存。集邦咨询分析称，在目前寡头垄断的市场情况下，中国政府已经开始加快发展国内的半导体芯片产业，但发展为实际产能还需要时间。1 M. K! s4 t, T3 @/ z6 W5 f6 N+ L
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