中国第一个存储器基地开工 总投资240亿美元

据央视《朝闻天下》报道，总投资240亿美元的国家存储器基地项目近日在武汉东湖高新区正式开工。

+ F5 ?" `) Q/ J  [　　据悉，2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
& \% x/ E8 w4 u% A5 R
　　国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

　　项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。
$ H9 q% A. H2 m3 a$ C) w
9 f$ t0 Z5 U6 I) a! t* G! C" u　　存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品
* r9 V# S# a* m) ]% o* Z; ^  O

值得参考....